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器的等效电路来计算如何合理的选取RGATE电阻的阻值，既要保持MOS管的良好开关性能，还要有效抑制振铃的产生。通过计算后的理论值来实验，能够最大化的选取合理的RGATE阻值。另外针对栅极驱动回路中，导通和关断回路进行了不同的结构形态的计算，来研究有无串联带来的影响，同时针对三种结构的电路进行功耗计算，最后文章中给出低侧栅极驱动器Layout中的注意事项，还有不同
以上参数中，RLO可以通过查阅datasheet直接得到，由于驱动芯片内部是NMOS和PMOS并联混合上拉结构，所以在计算中RHI≈RLO *1.5；MOSFET内部的RG,I可以通过查阅datasheet得到，如果规格书内未注明RG,I可使用LCR电桥在GS两端施加1MHz的测试信号，测得Rs值即为RG,I。
图1-1展示了实际电路中的谐振回路，寄生电感LS和输入电容GISS产生高频谐振，而RG则是起到衰减谐振的作用，Q为阻尼系数，一般取0.5。
使用RS8801驱动MOS-IRFB3607，外部栅极电阻RGATE取0Ω进行初步实验，使用探头x10档、接地弹簧得到以下波形：
驱动MOS需要遵守 “慢开快关“的原则 ，慢开是指MOS管开通时不能因驱动波形振荡而引起EMI问题，快关则是指MOS管关断要尽可能的快，一方面可以减小关断损耗，另一方面在半桥驱动的场合保证死区时间，防止炸管。但是前文中RGATE阻值已经确定，如何才能做到不改变RGATE的情况下快速关断MOS呢？见下图2-1
左图是没有D1的关断波形，下降沿大约70nS，右图是加了快速关断二极管D1的关断波形，下降沿约为22nS，可以看到D1的效果十分明显。
D1的选型需要关注Trr（反向恢复时间）、开关频率这两个参数，为了不影响开通时的电流路径我们希望Trr越小越好，同时二极管最大开关频率也要匹配开关管的工作频率，所以低Trr、高开关频率的肖特基二极管（Trr一般在10nS左右，频率可以上GHz）十分适用于此应用场合。
但是这又引入了一个新的问题：关断时的电流直接通过二极管而不经过电阻进入驱动器，相较于不加二极管的电路，会让芯片关断时功耗增加，从而提高整个开关周期内的功耗。
图2-3的电路在二极管端增加了一个5.1Ω限流电阻，这样可以减小关断期间驱动器的功耗，从而降低驱动器整体功耗，但是在降低功耗的同时也降低了关断速度（见下图），如果想加快关断速度，可以将限流电阻继续减小。
栅极驱动芯片工作时产生的高速脉冲需要从VDD电容汲取能量，规格书中推荐电容取值1uF，考虑到很多客户可能会习惯性的取100nF作为滤波电容，故以图2-5电路做以下实验（PWM=300kHz）：
从绿色的OUT波形来看，两种容值效果接近，但从是蓝色波形可以看到使用100nF时，VDD电压波动较大，考虑到芯片的UVLO-OFF阈值电压约为4V，在供电较低的应用中需要关注VDD电压的波动不能触及UVLO-OFF阈值电压。
许多工程师喜欢在上下拉的引脚中串联一个电阻后接到电源或地，但是对于RS8801却不建议这么做，原因是芯片内部上下拉电阻为200kΩ，如果在外部串接电阻会使得引脚上产生分压，可能引起电路工作异常。
从这个案例可以看到一旦外置上下拉电阻取值不合理，就会引起整个电路工作异常，因此建议上下拉的时候不要串联电阻。但是当使用一个信号控制多片RS8801时，三极管（或MOS管）的下拉电阻是必须的，所以遇到这种应用更要重点检查阻值选取是否合理。
以图1-2的电路为例：ROL=0.5Ω 、ROH=1.5*ROL=0.75Ω 、RGATE=5.1Ω 、RG,I=0.55Ω、VDD=12V、
则芯片功耗为0.025W，随后计算RGATE功耗的时候只需要将两项功耗比例的分子改为RGATE的阻值，可得RGATE功耗为0.2W，此时芯片功耗较低，但是RGATE功耗很大，至少要选取1206封装，如果想减小RGATE封装，可适当增大其阻值。
以图2-1的电路为例：ROL=0.5Ω 、ROH=1.5*ROL=0.75Ω 、RGATE=5.1Ω 、RG,I=0.55Ω、VDD=12V、QG≈70nC；假设fsw=300kHz。
以图2-3的电路为例：ROL=0.5Ω 、ROH=1.5*ROL=0.75Ω、RGATE=5.1Ω 、RG,I=0.55Ω、RLIM=5.1Ω、VDD=12V、QG≈70nC；假设
开关管输入电容下端驱动器下管RGATE开关管输入电容上端输入电容下端即开关管的地，驱动器下管即驱动器的地，这两个地之间的寄生电感会引起驱动器OUT端产生负压，从而引起驱动器失效，所以Layout的时候不光要关注输出线，回流地线、替代料的关注点
从上述两个品牌芯片调试案例来看，增大RGATE似乎是最简单有效的，但为了稳定波形去掉了加速关断二极管，使整个关断周期超过150nS，这增加了关断损耗，所以说增大RGATE是一把双刃剑。
对处于新设计阶段的客户，建议在外部上下拉的电路中不要串联电阻，因为各个品牌芯片的内置上下拉电阻阻值各不相同，可能会出现替代后无法正常工作的情况。
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是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
发生了什么，手册也没有说明这一点。根据手册，必须首先通过将 F0 或 F1（或两者）置为高电平来启用
源连接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 电阻，我不明白为什么需要这些。是否有任何设计
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