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栅极驱动光耦包含一个GaAsP LED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和MOSFET的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅极电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使它们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。
典型的IGBT/MOSFET驱动光耦器的输出不会从GND到Vcc摆动;输出电压比Vcc低几伏。东芝提供带导轨的光电耦合器对轨输出，几乎在GND和Vcc之间摆动。轨对轨输出有助于降低光电耦合器和IGBT/MOSFET的开关损耗。
东芝的大多数IGBT/MOSFET驱动器光电耦合器都具有UVLO功能，可防止在欠压情况下发生故障。UVLO保持输出低，直到电源电压超过上升的UVLO阈值，以防止光电耦合器的假输出，从而导致驱动IGBT/MOSFET的故障。
应用于光耦输入和输出之间的陡峭电压变化率（dV/dt）可能导致逆变器电路故障。为提高光耦的共模瞬态抗扰度，可在输入和输出之间添加静电屏蔽层，将位移电流绕过至地。为直接驱动IGBT/MOSFET栅极提供足够的共模瞬态抗扰度，Toshiba的IGBT/MOSFET栅极驱动光耦器在光传感器芯片上采用了屏蔽设计。
东芝的光电耦合器产品组合包括广泛的光电耦合器系列，输出电流范围从0.6 A到业界最高的6.0 A，且提供高共模瞬态抗扰度，使其适用于工业应用，如将安装在电气噪声环境中的逆变器和伺服器以及这两年爆火的光伏和充电桩中。
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